|
IGBT的工作原理是什么IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。 由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定: ——IGBT 柵極與發射極之間的電壓; ——IGBT 集電極與發射極之間的電壓; ——流過IGBT 集電極-發射極的電流; ——IGBT 的結溫。 如果IGBT 柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT 不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT 可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT 集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓,流過IGBT 集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流,IGBT 的結溫超過 其結溫的允許值,IGBT 都可能會永久性損壞。 |