IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:——IGBT 柵極與發射極之間的電壓;——IGBT 集電極與發射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極-發射極的電流;——IGBT 的結溫。如果IGBT 柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT 不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極